http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20120126_507306.html
エルピーダの次世代ReRAMの構造は、DRAMのキャパシタ形成技術を生かした縦積み構造のRRAM素子を、やはり縦積みの3Dトランジスタの上に形成するというものだそうだ。
ところで、エルピーダはPCRAMの開発からは撤退してしまったようだ。
現在は相変化メモリの開発からは完全に撤退している
現在は相変化メモリの開発からは完全に撤退している
マイクロプロセサとキャッシュ・メモリの積層接続などに利用できる。2018~2020年ころのハイエンド・コンピューティング用途に向ける。
Wide I/O DRAMは(中略)1200端子のマイクロバンプを介してSoCの背面に積層接続されるため、SoC側にはTSVが必要となる。ロジック側に穴を開けるわけか。
TSVを導入すると、SoCの回路レイアウトを変更しなくてはならないため、現在はTSVに合わせてレイアウト変更を施したIPを、TEGによって検証しているという。TSVが周囲に与える影響みたいなものは、どうやって評価するのだろう。
なお、ルネサス エレクトロニクスでは先端SoCの製造を外部のSiファウンドリーに委託する方針であり、TSVの製造もSiファウンドリーに委託する考えである。ルネサスは一部を除きTSMCに委託するはずだが、これもTSMCなのだろうか。
常温ウエハー接合とは、真空中でイオン・ビームや中性原子ビームを半導体のウエハー表面に照射することによって接合面を活性化し、従来は加熱して接合していたウエハーを室温で接合する技術。加熱する必要がないため、熱膨張による歪の発生や加工精度の悪化が抑えられるだけでなく、ウェハー同士を直接接合できるため、半田や接着剤も不要のようだ。
アムダールの法則の典型的な誤用といえましょう。数式と数字を一人歩きさせるとこうなる。http://twitter.com/#!/k_nitadori/status/154745855092592640
個々のCPUが強力な方が便利というのは間違いない。でも個々のCPUでもきっちりベクトル化できてないといけないわけでして、、、http://twitter.com/#!/k_nitadori/status/154746176313376768
今の数字なら全部スカラーでおk「演算性能を優先するものはスカラーで、メモリ性能を優先するものはベクトル型でというように、効率的に計算ができるようになります。」http://twitter.com/#!/k_nitadori/status/154746384531210240
だから全部(ry「演例えば、データの初期処理はスカラー型で行い、ベクターで計算して、その結果の検証は再びスカラーで行うといった連携型のワークフローが可能になります。運用形態もユーザーの必要に応じて変更できるようになります」http://twitter.com/#!/k_nitadori/status/154746744977104897
あこれならありうる。「例えば、データの初期処理はx86で行い、京で計算して、その結果の検証は再びx86で行うといった連携型のワークフローが可能になります。運用形態もユーザーの必要に応じて変更できるようになります」http://twitter.com/#!/k_nitadori/status/154759397980127232
スケーラビリティを制限しているのは0.1%の逐次処理部だ、というのがほとんど事実誤認で、というかその理屈では到底ベクトルを正当化できない。ベクトル機のデザインとしてスカラ部にもベクトル部の1割ぐらいの性能は持たせましょう、というのなら間違いではないのだけど。逐次処理部を速くするには、ベクトル型CPUではなく、速いスカラ型CPUを使うべきってことでしょうか?