エルピーダの次世代 ReRAM

エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20120126_507306.html

エルピーダの次世代ReRAMの構造は、DRAMのキャパシタ形成技術を生かした縦積み構造のRRAM素子を、やはり縦積みの3Dトランジスタの上に形成するというものだそうだ。

ところで、エルピーダはPCRAMの開発からは撤退してしまったようだ。

現在は相変化メモリの開発からは完全に撤退している