TSMCが28nmプロセスでSRAMの製造に成功したそうだ。
TSMC、28nmプロセスSRAMの製造に成功
ハイパフォーマンス向けではHKMGを導入している。ただし、以前まで開発を続けていたはずのゲートファースト方式ではなく、Intelが採用したゲートラスト方式によるものだそうだ。
一般的にゲートラスト方式の方がコスト高になると考えられているようだが、モノが出来なければ意味がないので、既に量産実績のあるIntel方式に近づけたというところだろうか。
以下は、関連記事。
TSMC,28nm世代のhigh-k/メタル・ゲートにゲート・ラスト方式を採用
こちらでは、ゲートファースト方式からゲートラスト方式への切り替えについても言及されている。
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