【続報】東芝、3次元構造のNANDフラッシュとReRAMを2013年にサンプル出荷へ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120710/227594/
東芝は各メモリの用途を以下のように考えているようだ。
- NAND:
ストレージ、
- ReRAM: ストレージ(特に性能を重視する部分)、
- STT-MRAM:
SSDなどのキャッシュ。
この考え方が正しいとすると、今後は半導体メモリを多階層に組み合わせたものが、ストレージの主流になっていくのかもしれない。
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