SOI で ARM

英ARM，45nmのSOIプロセスでARM11コアを試作し，バルクCMOSに比べて40％の低電力化を確認

IBMの45nmSOIプロセスでARM11コアを試作したところ、

- 同一周波数では、バルクプロセスより消費電力が最大40%低い。
- チップ面積が、バルクプロセスより7%小さい。
- 20%高い周波数でも、バルクプロセスより消費電力が30%低いアプリケーションがあった。

そうで。

2ちゃんねるには「安さが取り柄のARMがSOI使ってどうすんの？」なんて書き込みもあったが、iPhone向けみたいに付加価値の出せるチップなら採用もあるかも知れない。