GLOBALFOUNDRIES が 14nm FinFET プロセスを2014年に?

GLOBALFOUNDRIES、2014年に14nm世代のFinFETプロセス投入へ
http://eetimes.jp/ee/articles/1209/21/news110_2.html

2012年9月現在、20nmプロセスの量産すら開始されていないのに、2014年に14nmプロセスを提供できるわけがないと思えるのだが、これにはどうやらカラクリがあるようだ。

まずは、プレスリリース。

GLOBALFOUNDRIES Unveils FinFET Transistor Architecture Optimized for Next-Generation Mobile Devices
http://www.globalfoundries.com/newsroom/2012/20120920.aspx

そして、プレゼン資料。

14nm-XM overview presentation
http://www.globalfoundries.com/technology/pdf/GF-14XM-Press-FINAL.pdf

発表では、20nm LPMプロセスから14nm XMプロセスへの移行の容易性が強調されていたようだが、プレゼン資料の13ページに"Cost and Density optimized BEOL from 20LPM"という記述があるように、どうやらBEOLは20nm LPMプロセスのまま、FEOLだけFinFETに切り替えるということのようだ。"80nm SP wiring"とあるので、配線ピッチはおそらく80nm。さらに、"Proven optimized Middle of Line (MOL) from 20LPM"などという記述もある。

つまり、FinFETにすることでゲート長が短くなるので、他の寸法は20nmプロセスとは変わらないが、プロセスノードとしては14nmを名乗る、ということですね。

というわけで今回の発表は、以前から言われていた「20nmプロセスでプレーナ→FinFETというステップを踏む」というのを、「14nm」という数字でセンセーショナルに発表しただけということらしい。まあ、ゲート長は実際短くなるんだろうし、リーク電流が相当減るのも事実でしょうし(ちゃんと作れればね :)

以下は関連記事。

GLOBALFOUNDRIESが14nm世代プロセスを発表、微細化を加速し2014年に量産予定
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120921/241241/

今回の発表のポイントとなるところが、うまくまとまっている。