Intel の 14/10nm プロセスにおけるリソ戦略

【SPIE】Intelが20nm世代以降のリソグラフィ技術を語る、「コンプリメンタリー・リソを駆使」
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20130225/267851/

14nmプロセスではArF液浸のDPを使用。10nmプロセスではline and space パターンの形成にArF液浸のDPを使用し、カッティングパターンの形成にEUVを使用するようだ。ただし、EUVの開発の進捗によっては、カッティングパターンの形成にもArF液浸のマルチパターニングを使用する可能性も。